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中国科学院重庆绿色智能技术研究院机构知识库
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资助项目:National Natural Science Foundation of China[61775214]
作者:石轩
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Ultra-Thin GeSe/WS2 Vertical Heterojunction with Excellent Optoelectronic Performances
期刊论文
ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2022, 页码: 7
作者:
Yan, Bing
;
Ning, Bo
;
Zhang, Guoxin
;
Zhou, Dahua
;
Shi, Xuan
;
Wang, Chunxiang
;
Zhao, Hongquan
收藏
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2022/08/22
2D materials
GeSe
WS
(2)
heterojunctions
optoelectronic properties
photodetectors
Enhancement of photodetection by PbSe quantum dots on atomic-layered GeS devices
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 50, 页码: 9
作者:
Li, Yuzhi
;
Shi, Xuan
;
Dai, Fangbo
;
Zhou, Dahua
;
Jin, Minghui
;
Zheng, Hongying
;
Yang, Yuhui
;
Zhao, Hongquan
;
Wang, Junzhong
收藏
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浏览/下载:145/0
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提交时间:2020/12/01
hybrid-structure
atomic-layered GeS film
PbSe quantum dots
photoresponsivity
carrier mobility
Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038
作者:
Zhao, Hongquan
;
Yang, Yuhui
;
Wang, Chunxiang
;
Zhou, Dahua
;
Shi, Xuan
;
Li, Yuzhi
;
Mao, Yuliang
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浏览/下载:115/0
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提交时间:2020/08/24
few-layer GeSe
field-effect transistors
photoresponse time
broadband photoresponse
direct band gaps
ambipolar behavior
Enhancement of photoluminescence efficiency in GeSe ultrathin slab by thermal treatment and annealing: experiment and first-principles molecular dynamics simulations
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8, 页码: 9
作者:
Mao, Yuliang
;
Mao, Xin
;
Zhao, Hongquan
;
Zhang, Nandi
;
Shi, Xuan
;
Yuan, Jianmei
Adobe PDF(4539Kb)
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提交时间:2019/01/17