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中国科学院重庆绿色智能技术研究院机构知识库
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收录类别:SCI
作者:赵洪泉
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The Electrical Behaviors of Grain Boundaries in Polycrystalline Optoelectronic Materials
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2023, 页码: 18
作者:
Gao, Zheng
;
Leng, Chongqian
;
Zhao, Hongquan
;
Wei, Xingzhan
;
Shi, Haofei
;
Xiao, Zeyun
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浏览/下载:177/0
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提交时间:2024/01/17
grain boundaries
optoelectronics
polycrystalline materials
potential barrier
twin boundaries
Preparation and photoelectric characterization of p-GeSe/p-WS2 heterojunction devices
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 卷号: 55, 期号: 32, 页码: 9
作者:
Yan, Bing
;
Zhang, Guoxin
;
Ning, Bo
;
Chen, Sikai
;
Zhao, Yang
;
Zhou, Dahua
;
Shi, Xuan
;
Shen, Jun
;
Xiao, Zeyun
;
Zhao, Hongquan
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浏览/下载:76/0
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提交时间:2022/08/22
van der Waals heterojunction
p-p type junction
GeSe/WS2
optoelectronic properties
Enhancement of photoluminescence efficiency in GeSe ultrathin slab by thermal treatment and annealing: experiment and first-principles molecular dynamics simulations
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8, 页码: 9
作者:
Mao, Yuliang
;
Mao, Xin
;
Zhao, Hongquan
;
Zhang, Nandi
;
Shi, Xuan
;
Yuan, Jianmei
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提交时间:2019/01/17