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一种大面积MoS2薄膜生长方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 2015109910882, 申请日期: 2015-12-24,
发明人:  冯双龙;   聂长斌;  魏兴战;  陆文强;  史浩飞;  杜春雷
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