KMS Chongqing Institute of Green and Intelligent Technology, CAS
一种大面积MoS2薄膜生长方法 | |
冯双龙; 聂长斌; 魏兴战; 陆文强; 史浩飞; 杜春雷 | |
2018-06-29 | |
摘要 | 本发明公开了一种大面积MoS2薄膜生长方法,采用化学气相沉积法制备大面积MoS2薄膜,具体步骤如下:1)将三氧化钼和硫粉分别放置在炉子的中心和端头位置,将SiO2基底a、导热层b、瓷片c依次叠放平放在钼源上方,封闭连接管路;2)在封闭的石英管中通入保护气体5‑10分钟进行排空,打开炉子加热开关,升温至700‑800℃,保温10分钟,关闭加热,冷却至室温,即可获得尺寸范围50‑300微米的MoS2薄膜。本发明提供的大面积MoS2薄膜的制备方法,可以大大缩短制备薄膜的反应时间,并且制备出的形貌均匀,所制备的MoS2薄膜可以应用于光电探测器件、逻辑电路、电子元器件等领域。 |
专利类型 | 发明专利 |
语种 | 中文 |