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Preparation and photoelectric characterization of p-GeSe/p-WS2 heterojunction devices 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 卷号: 55, 期号: 32, 页码: 9
作者:  Yan, Bing;  Zhang, Guoxin;  Ning, Bo;  Chen, Sikai;  Zhao, Yang;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Shen, Jun;  Xiao, Zeyun;  Zhao, Hongquan
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van der Waals heterojunction  p-p type junction  GeSe/WS2  optoelectronic properties