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限定条件	作者：周大华    第一作者

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	Ultra-Thin GeSe/WS2 Vertical Heterojunction with Excellent Optoelectronic Performances 期刊论文 ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2022, 页码: 7 作者:  Yan, Bing;  Ning, Bo;  Zhang, Guoxin;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Wang, Chunxiang;  Zhao, Hongquan 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2022/08/22 2D materials  GeSe  WS  (2)  heterojunctions  optoelectronic properties  photodetectors
	Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038 作者:  Zhao, Hongquan;  Yang, Yuhui;  Wang, Chunxiang;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Li, Yuzhi;  Mao, Yuliang 收藏  |  浏览/下载：104/0  |  提交时间：2020/08/24 few-layer GeSe  field-effect transistors  photoresponse time  broadband photoresponse  direct band gaps  ambipolar behavior
	Band Structure and Photoelectric Characterization of GeSe Monolayers 期刊论文 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2018, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 10 作者:  Zhao, Hongquan;  Mao, Yuliang;  Mao, Xin;  Shi, Xuan;  Xu, Congshen;  Wang, Chunxiang;  Zhang, Shangmin;  Zhou, Dahua Adobe PDF(8065Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：536/0  |  提交时间：2018/06/04 band structures  GeSe monolayers  photoelectric devices  semiconductors