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限定条件	作者：周大华    第一作者    发表日期：2022

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	High zero-bias responsivity induced by photogating effect in asymmetric device structure 期刊论文 OPTICAL MATERIALS, 2022, 卷号: 124, 页码: 7 作者:  Gao, Kaicong;  Ran, Shuling;  Han, Qin;  Yang, Qi;  Jiang, Hao;  Fu, Jintao;  Leng, Chongqian;  Feng, Shuanglong;  Zhou, Dahua;  Li, Zhancheng;  Li, Xin;  Huang, Deping;  Yu, Leyong;  Shen, Jun 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2022/08/22 Graphene photodetector  CdS thin films  Asymmetric structure
	Ultra-Thin GeSe/WS2 Vertical Heterojunction with Excellent Optoelectronic Performances 期刊论文 ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2022, 页码: 7 作者:  Yan, Bing;  Ning, Bo;  Zhang, Guoxin;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Wang, Chunxiang;  Zhao, Hongquan 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2022/08/22 2D materials  GeSe  WS  (2)  heterojunctions  optoelectronic properties  photodetectors