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	The [100] direction strained Ge 1-x Sn x nanowires with low Sn contents towards the application of SWIR or MWIR lasers 期刊论文 PHYSICS LETTERS A, 2024, 卷号: 519, 页码: 7 作者:  Xiong, Wen;  Qiu, Jia-Ao;  Wen, Zhuo-Qun;  Zhu, Hai-Yu;  Wang, Fei 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2024/09/23 Ge1-xSnx nanowires  Effective-mass theory  Optical gain  [100] direction uniaxial stress
	PbTe Nanowires Electrochemically Deposited on Si Substrates as PbTe/Si Heterojunction Infrared Photodetectors 期刊论文 ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2024, 卷号: 7, 期号: 5, 页码: 5214-5220 作者:  Guo, Zhongmin;  Zhang, Yongna;  Zhang, Xinru;  Yang, Chan;  Li, Jun;  Feng, Shuanglong 收藏  |  浏览/下载：584/0  |  提交时间：2024/05/06 PbTe nanowires  electrochemical deposition  low dark current  PbTe/Siheterojunction  infraredphotodetectors
	The optical gain variation of Ge nanowires induced by L-valley splitting under the [110] direction stress 期刊论文 Applied Physics Express, 2024, 卷号: 17, 期号: 1 作者:  Li,Xin;  Hou,Ning;  Xiong,Wen 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2024/02/23 optical gain  Ge nanowires  G-valley and L-valley  [110] direction stress
	The optical gain variation of Ge nanowires induced by L-valley splitting under the [110] direction stress 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2024, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Li, Xin;  Hou, Ning;  Xiong, Wen 收藏  |  浏览/下载：191/0  |  提交时间：2024/03/01 optical gain  Ge nanowires  G-valley and L-valley  [110] direction stress