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限定条件	资助项目：National Natural Science Foundation of China[61775214]    作者：周大华    第一作者

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	Ultra-Thin GeSe/WS2 Vertical Heterojunction with Excellent Optoelectronic Performances 期刊论文 ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2022, 页码: 7 作者:  Yan, Bing;  Ning, Bo;  Zhang, Guoxin;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Wang, Chunxiang;  Zhao, Hongquan 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2022/08/22 2D materials  GeSe  WS  (2)  heterojunctions  optoelectronic properties  photodetectors
	Enhancement of photodetection by PbSe quantum dots on atomic-layered GeS devices 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 50, 页码: 9 作者:  Li, Yuzhi;  Shi, Xuan;  Dai, Fangbo;  Zhou, Dahua;  Jin, Minghui;  Zheng, Hongying;  Yang, Yuhui;  Zhao, Hongquan;  Wang, Junzhong 收藏  |  浏览/下载：136/0  |  提交时间：2020/12/01 hybrid-structure  atomic-layered GeS film  PbSe quantum dots  photoresponsivity  carrier mobility
	Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038 作者:  Zhao, Hongquan;  Yang, Yuhui;  Wang, Chunxiang;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Li, Yuzhi;  Mao, Yuliang 收藏  |  浏览/下载：107/0  |  提交时间：2020/08/24 few-layer GeSe  field-effect transistors  photoresponse time  broadband photoresponse  direct band gaps  ambipolar behavior