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中国科学院重庆绿色智能技术研究院机构知识库
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收录类别:SCI
出处:JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
语种:英语
资助项目:National Science Foundation of China[61601433]
资助项目:Project of Chongqing Talents[CQYC202002064]
资助项目:Youth Innovation Promotion Association CAS
作者: xiao zeyun
第一作者
作者:周大华
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Preparation and photoelectric characterization of p-GeSe/p-WS2 heterojunction devices
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 卷号: 55, 期号: 32, 页码: 9
作者:
Yan, Bing
;
Zhang, Guoxin
;
Ning, Bo
;
Chen, Sikai
;
Zhao, Yang
;
Zhou, Dahua
;
Shi, Xuan
;
Shen, Jun
;
Xiao, Zeyun
;
Zhao, Hongquan
收藏
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2022/08/22
van der Waals heterojunction
p-p type junction
GeSe/WS2
optoelectronic properties