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发表日期：2019

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	Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038 作者:  Zhao, Hongquan;  Yang, Yuhui;  Wang, Chunxiang;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Li, Yuzhi;  Mao, Yuliang 收藏  |  浏览/下载：104/0  |  提交时间：2020/08/24 few-layer GeSe  field-effect transistors  photoresponse time  broadband photoresponse  direct band gaps  ambipolar behavior
	A two-dimensional GeSe/SnSe heterostructure for high performance thin-film solar cells 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A, 2019, 卷号: 7, 期号: 18, 页码: 11265-11271 作者:  Mao, Yuliang;  Xu, Congsheng;  Yuan, Jianmei;  Zhao, Hongquan 收藏  |  浏览/下载：175/0  |  提交时间：2019/12/03
	Facile and Controllable Synthesis of Large-Area Monolayer WS2 Flakes Based on WO3 Precursor Drop-Casted Substrates by Chemical Vapor Deposition 期刊论文 NANOMATERIALS, 2019, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 12 作者:  Shi, Biao;  Zhou, Daming;  Fang, Shaoxi;  Djebbi, Khouloud;  Feng, Shuanglong;  Zhao, Hongquan;  Tlili, Chaker;  Wang, Deqiang Adobe PDF(3433Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：937/1  |  提交时间：2019/06/24 WS2  2D materials  large-area  CVD  fluorescence emission  Raman mapping