中国科学院重庆绿色智能技术研究院机构知识库

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条

帮助

限定条件	出处：JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS

已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择期刊影响因子升序期刊影响因子降序作者升序作者降序题名升序题名降序WOS被引频次升序WOS被引频次降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序
	The role of electronic affinity for dopants in thermoelectric transport properties of InTe 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 869, 页码: 6 作者:  Zhu, Huaxing;  Wang, Guiwen;  Wang, Guoyu;  Zhou, Xiaoyuan;  Lu, Xu 收藏  |  浏览/下载：190/0  |  提交时间：2021/08/20 Thermoelectric  InTe  Electronic affinity  Anisotropy  Doping  Ionized impurity scattering
	Enhanced thermoelectric performance in copper-deficient Cu2GeSe3 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 723, 页码: 708-713 作者:  Huang, Tianyu;  Yan, Yanci;  Peng, Kunling;  Tang, Xiaodan;  Guo, Lijie;  Wang, Ruifeng;  Lu, Xu;  Zhou, Xiaoyuan;  Wang, Guoyu Adobe PDF(1351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：177/0  |  提交时间：2018/03/05 Cu2GeSe3  Thermoelectric properties  Cu vacancies  Defects CuGe