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	Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038 作者:  Zhao, Hongquan;  Yang, Yuhui;  Wang, Chunxiang;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Li, Yuzhi;  Mao, Yuliang 收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2020/08/24 few-layer GeSe  field-effect transistors  photoresponse time  broadband photoresponse  direct band gaps  ambipolar behavior
	Enhancement of photoluminescence efficiency in GeSe ultrathin slab by thermal treatment and annealing: experiment and first-principles molecular dynamics simulations 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8, 页码: 9 作者:  Mao, Yuliang;  Mao, Xin;  Zhao, Hongquan;  Zhang, Nandi;  Shi, Xuan;  Yuan, Jianmei Adobe PDF(4539Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：218/0  |  提交时间：2019/01/17