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限定条件	资助项目：National Natural Science Foundation of China[11404044]    出处：JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

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	High-Temperature Thermoelectric Properties of Ge-Substituted p-Type Nd-Filled Skutterudites 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 2958-2963 作者:  Shaheen, Nusrat;  Shen, Xingchen;  Javed, Muhammad Sufyan;  Zhan, Heng;  Guo, Lijie;  Alsharafi, Rashed;  Huang, Tianyu;  Lu, Xu;  Wang, Guoyu;  Zhou, Xiaoyuan Adobe PDF(1105Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：141/0  |  提交时间：2018/03/05 p-Type skutterudites  Ge doping  Nd filler  thermoelectric properties
	Se Vacancy Effect on the Thermoelectric Performance of Pb-Doped In4Pb0.01Se3-x Polycrystalline 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 3131-3136 作者:  Alsharafi, Rashed;  Zhan, Heng;  Shaheen, Nusrat;  Lu, Xu;  Wang, Guoyu;  Sun, Xiaonan;  Zhou, Xiaoyuan Adobe PDF(1283Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：124/0  |  提交时间：2018/03/05 Indium selenide  Se vacancy  layered structure  low thermal conductivity
	Effect of Sn Doping in (Bi0.25Sb0.75)(2-x)SnxTe3 (0 <= x <= 0.1) on Thermoelectric Performance 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 1441-1446 作者:  Cai, Zhengwei;  Guo, Lijie;  Xu, Xiaolong;  Yan, Yanci;  Peng, Kunling;  Wang, Guiwen;  Wang, Guoyu;  Zhou, Xiaoyuan Adobe PDF(1413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：128/0  |  提交时间：2018/03/15 (Bi0.25Sb0.75)(2-x) SnxTe3  thermoelectric properties  Sn doping  layered structure