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限定条件	作者：李占成    第一作者

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	High zero-bias responsivity induced by photogating effect in asymmetric device structure 期刊论文 OPTICAL MATERIALS, 2022, 卷号: 124, 页码: 7 作者:  Gao, Kaicong;  Ran, Shuling;  Han, Qin;  Yang, Qi;  Jiang, Hao;  Fu, Jintao;  Leng, Chongqian;  Feng, Shuanglong;  Zhou, Dahua;  Li, Zhancheng;  Li, Xin;  Huang, Deping;  Yu, Leyong;  Shen, Jun 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2022/08/22 Graphene photodetector  CdS thin films  Asymmetric structure
	Hybrid graphene heterojunction photodetector with high infrared responsivity through barrier tailoring 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30, 期号: 19, 页码: 7 作者:  Zhou, Quan;  Shen, Jun;  Liu, Xiangzhi;  Li, Zhancheng;  Jiang, Hao;  Feng, Shuanglong;  Feng, Wenlin;  Wang, Yuefeng;  Wei, Dapeng Adobe PDF(1134Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：243/0  |  提交时间：2019/03/25 graphene  silicon  Schottky junction  barrier height  infrared photodetector
	High-performance solar-blind photodetector with graphene and nitrogen-doped reduced graphene oxide quantum dots (rGOQDs) 期刊论文 MATERIALS EXPRESS, 2018, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 105-111 作者:  Zhang, Enliang;  Sun, Tai;  Ge, Bangtong;  Zhang, Weiguo;  Gao, Xuan;  Jiang, Hao;  Li, Zhancheng;  Liu, Guojun;  Shen, Jun 收藏  |  浏览/下载：188/0  |  提交时间：2018/06/04 rGOQDs  Graphene  Photodetector  UV  Capping Layer