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一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 2018100842154, 申请日期: 2018-01-29,
发明人:  石彪;  王德强;  周彪;  冯双龙;  查克.特里里;  何石轩;  谢婉谊;  方绍熙;  周大明;  梁丽媛;  周硕;  唐鹏;  王赟姣;  殷博华
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Facile and Controllable Synthesis of Large-Area Monolayer WS2 Flakes Based on WO3 Precursor Drop-Casted Substrates by Chemical Vapor Deposition 期刊论文
NANOMATERIALS, 2019, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 12
作者:  Shi, Biao;  Zhou, Daming;  Fang, Shaoxi;  Djebbi, Khouloud;  Feng, Shuanglong;  Zhao, Hongquan;  Tlili, Chaker;  Wang, Deqiang
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