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中国科学院重庆绿色智能技术研究院机构知识库
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Enhancement of photodetection by PbSe quantum dots on atomic-layered GeS devices
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 50, 页码: 9
作者:
Li, Yuzhi
;
Shi, Xuan
;
Dai, Fangbo
;
Zhou, Dahua
;
Jin, Minghui
;
Zheng, Hongying
;
Yang, Yuhui
;
Zhao, Hongquan
;
Wang, Junzhong
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提交时间:2020/12/01
hybrid-structure
atomic-layered GeS film
PbSe quantum dots
photoresponsivity
carrier mobility
Synthesis and characterization of single-bond fullerene dimer derivatives
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2020, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2676-2683
作者:
Zhao, Hong-Quan
;
Yang, Shihan
;
Xu, Tong-Le
;
Shi, Xuan
;
Lu, Shirong
;
Wu, Jian-Wei
;
Wang, Chunxiang
;
Hu, Jian-Ming
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浏览/下载:94/0
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提交时间:2021/02/24
fullerene dimer derivatives
esters
absorption spectra
fluorescence spectra
photocurrent
Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038
作者:
Zhao, Hongquan
;
Yang, Yuhui
;
Wang, Chunxiang
;
Zhou, Dahua
;
Shi, Xuan
;
Li, Yuzhi
;
Mao, Yuliang
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浏览/下载:107/0
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提交时间:2020/08/24
few-layer GeSe
field-effect transistors
photoresponse time
broadband photoresponse
direct band gaps
ambipolar behavior
Enhancement of photoluminescence efficiency in GeSe ultrathin slab by thermal treatment and annealing: experiment and first-principles molecular dynamics simulations
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8, 页码: 9
作者:
Mao, Yuliang
;
Mao, Xin
;
Zhao, Hongquan
;
Zhang, Nandi
;
Shi, Xuan
;
Yuan, Jianmei
Adobe PDF(4539Kb)
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提交时间:2019/01/17
Microscopic Description of Spontaneous Emission in Stark Chirped Rapid Adiabatic Passages
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF THEORETICAL PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 9-19
作者:
Shi, Xuan
;
Yuan, Hao
;
Zhao, Hong-Quan
Adobe PDF(1253Kb)
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提交时间:2018/03/05
Spontaneous emission
Stark-chirped rapid adiabatic passage
Microscopic approach