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限定条件	出处：ACS APPLIED NANO MATERIALS    发表日期：2023

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	Si-Based GaN Light-Emitting Diodes with MoS2 Nanosheet-Decorated Fabry-Perot Waveguide Structure 期刊论文 ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2023, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 1379-1387 作者:  Qin, Feifei;  Cao, Yue;  Li, Meng;  Lu, Shun;  Tian, Mufei;  Yang, Ying;  Lu, Junfeng;  Wang, Xu;  Li, Binghui;  Wang, Yongjin;  Zhu, Gangyi 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2024/02/23 Si-based GaN LED  interference  MoS2  spectra tailoring  waveguide  lightabsorption
	InGaO3 Nanowire Networks for Deep Ultraviolet Photodetectors 期刊论文 ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2023, 页码: 8 作者:  Li, Bei;  Wu, Yutong;  Li, Guowei;  Feng, Wenlin;  Lu, Wenqiang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2023/12/25 ultraviolet photodetector  ternary metal oxides  InSb  GaSb  chemical vapor deposition  InGaO3 nanowire