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一种基于石墨烯平面结的光电探测器 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 2016105665104, 申请日期: 2016-07-19,
发明人:  申钧;  魏兴战;  冯双龙;  魏大鹏;  杨俊;  周大华;  史浩飞;  杜春雷
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Microscopic study of thermoelectric In-doped SnTe 期刊论文
Nanotechnology, 2018, 卷号: 29, 期号: 26
作者:  Nan,Pengfei;  Liu,Ruibin;  Chang,Yunjie;  Wu,Hongbo;  Wang,Yumei;  Yu,Richeng;  Shen,Jun;  Guo,Wei;  Ge,Binghui
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inversion domain  SnTe  HAADF  geometry phase analysis