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一种包含石墨烯夹层结构的光电探测器 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 2019105044530, 申请日期: 2019-06-12,
发明人:  申钧;  吴启明;  魏兴战;  冯双龙;  周大华;  汤林龙;  冷重钱;  聂长斌;  张之胜;  伍俊;  史浩飞
Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：415/0  |  提交时间：2020/12/01
Electrochemical Epitaxial Grown PbS Nanorods Array on Graphene Film for High-Performance Photodetector 期刊论文
ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2020, 页码: 8
作者:  Yang, Chan;  Feng, Shuanglong;  Tang, Linlong;  Shen, Jun;  Wei, Xingzhan;  Shi, Haofei
收藏  |  浏览/下载：162/0  |  提交时间：2021/02/24
electrochemical epitaxial  graphene  PbS nanorods arrays  photodetectors  underpotential deposition  
一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: 2020200607941, 申请日期: 2020-01-13,
发明人:  冷重钱;  申钧;  聂长斌;  张之胜;  杨俊;  汤林龙;  冯双龙;  魏兴战;  史浩飞
Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：449/0  |  提交时间：2020/10/20
一种石墨烯/硫化铅红外探测器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: 2020200563695, 申请日期: 2020-01-10,
发明人:  冷重钱;  申钧;  聂长斌;  张之胜;  杨俊;  汤林龙;  冯双龙;  魏兴战;  史浩飞
Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：450/0  |  提交时间：2020/10/21
Ultrasensitive and fast photoresponse in graphene/silicon-on-insulator hybrid structure by manipulating the photogating effect 期刊论文
NANOPHOTONICS, 2020, 卷号: 9, 期号: 11, 页码: 3663-3672
作者:  Jiang, Hao;  Nie, Changbin;  Fu, Jintao;  Tang, Linlong;  Shen, Jun;  Sun, Feiying;  Sun, Jiuxun;  Zhu, Meng;  Feng, Shuanglong;  Liu, Yang;  Shi, Haofei;  Wei, Xingzhan
收藏  |  浏览/下载：189/0  |  提交时间：2020/10/12
graphene  manipulation  photodetector  photogating effect  silicon-on-insulator  
Ultrahigh Sensitivity of Flexible Thermistors Based on 3D Porous Graphene Characterized by Imbedded Microheaters 期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 页码: 11
作者:  Wu, Jin;  Yang, Xing;  Ding, Haojun;  Wei, Yaoming;  Wu, Zixuan;  Tao, Kai;  Yang, Bo-Ru;  Liu, Chuan;  Wang, Xiaotian;  Feng, Shuanglong;  Xie, Xi
收藏  |  浏览/下载：145/0  |  提交时间：2020/08/24
3D porous graphene  flexible thermistors  liquid crystal polymers  microheaters  temperature sensors  
一种石墨烯/硫化铅/钙钛矿光电探测器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: 202020067440X, 申请日期: 2020-01-10,
发明人:  冷重钱;  申钧;  聂长斌;  张之胜;  杨俊;  汤林龙;  冯双龙;  魏兴战;  史浩飞
Adobe PDF(569Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：407/0  |  提交时间：2020/08/26
基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: 2019211668132, 申请日期: 2019-07-24,
发明人:  陆文强;  张昆;  付勰;  康帅;  冯双龙
Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：162/0  |  提交时间：2020/08/25
Effect of Air Atmosphere Sensitization on Formation of PbSe p-n Junctions for High-Performance Photodetectors 期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 页码: 7
作者:  Yan, Shunya;  Yang, Qi;  Feng, Shuanglong;  Shen, Jun;  Yang, Jun;  Tang, Linlong;  Leng, Chongqian;  Zhou, Dahua
收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2020/08/24
PbSe  infrared detector  sensitized mechanism  p-n junction  
Improved hydrogen evolution at high temperature using an electro-thermal method 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 18, 页码: 9
作者:  Li, Tinghua;  Kang, Shuai;  Zhang, Xia;  Fu, Xie;  Feng, Shuanglong;  Hu, Zhuofeng;  Zhu, Donglai;  Lu, Wenqiang
收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2020/08/24
hydrogen evolution  electro-thermal method  elevated temperature  acidic water  carbon