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	Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038 作者:  Zhao, Hongquan;  Yang, Yuhui;  Wang, Chunxiang;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Li, Yuzhi;  Mao, Yuliang 收藏  |  浏览/下载：104/0  |  提交时间：2020/08/24 few-layer GeSe  field-effect transistors  photoresponse time  broadband photoresponse  direct band gaps  ambipolar behavior
	Infrared Photodetector Based on the Photothermionic Effect of Graphene-Nanowall/Silicon Heterojunction 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 19, 页码: 17663-17669 作者:  Liu, Xiangzhi;  Zhou, Quan;  Luo, Shi;  Du, Haiwei;  Cao, Zhensong;  Peng, Xiaoyu;  Feng, Wenlin;  Shen, Jun;  Wei, Dapeng Adobe PDF(1802Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：261/0  |  提交时间：2019/06/24 graphene  nanoparticle  photodetector  hot electron  Schottky barrier  thermionic emission
	Hybrid graphene heterojunction photodetector with high infrared responsivity through barrier tailoring 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30, 期号: 19, 页码: 7 作者:  Zhou, Quan;  Shen, Jun;  Liu, Xiangzhi;  Li, Zhancheng;  Jiang, Hao;  Feng, Shuanglong;  Feng, Wenlin;  Wang, Yuefeng;  Wei, Dapeng Adobe PDF(1134Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：242/0  |  提交时间：2019/03/25 graphene  silicon  Schottky junction  barrier height  infrared photodetector