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中国科学院重庆绿色智能技术研究院机构知识库
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作者:周大华
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Enhancement of photodetection by PbSe quantum dots on atomic-layered GeS devices
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 50, 页码: 9
作者:
Li, Yuzhi
;
Shi, Xuan
;
Dai, Fangbo
;
Zhou, Dahua
;
Jin, Minghui
;
Zheng, Hongying
;
Yang, Yuhui
;
Zhao, Hongquan
;
Wang, Junzhong
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浏览/下载:134/0
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提交时间:2020/12/01
hybrid-structure
atomic-layered GeS film
PbSe quantum dots
photoresponsivity
carrier mobility
Effect of Air Atmosphere Sensitization on Formation of PbSe p-n Junctions for High-Performance Photodetectors
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 页码: 7
作者:
Yan, Shunya
;
Yang, Qi
;
Feng, Shuanglong
;
Shen, Jun
;
Yang, Jun
;
Tang, Linlong
;
Leng, Chongqian
;
Zhou, Dahua
收藏
  |  
浏览/下载:125/0
  |  
提交时间:2020/08/24
PbSe
infrared detector
sensitized mechanism
p-n junction
CH_3NH_3PbI_xCl_(3-x)钙钛矿复合石墨烯光电探测器的制备与性能研究
期刊论文
功能材料, 2017, 期号: 12, 页码: 12060-12063+12068
作者:
张倪侦
;
何孟珂
;
余鹏
;
周大华
Adobe PDF(2525Kb)
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提交时间:2018/03/16
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