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限定条件	作者：冯双龙    第一作者

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	High zero-bias responsivity induced by photogating effect in asymmetric device structure 期刊论文 OPTICAL MATERIALS, 2022, 卷号: 124, 页码: 7 作者:  Gao, Kaicong;  Ran, Shuling;  Han, Qin;  Yang, Qi;  Jiang, Hao;  Fu, Jintao;  Leng, Chongqian;  Feng, Shuanglong;  Zhou, Dahua;  Li, Zhancheng;  Li, Xin;  Huang, Deping;  Yu, Leyong;  Shen, Jun 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2022/08/22 Graphene photodetector  CdS thin films  Asymmetric structure
	Fabrication of PbS QDs/Graphene Heterostructure Photoelectrochemical Cell by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Method 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 235-239 作者:  Huang, Ao;  Li, Jingze;  Wang, Yuehui;  Feng, Shuanglong Adobe PDF(3464Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2018/11/12 Pbs  Graphene Nanowalls  Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Deposition