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限定条件	作者：周大华    第一作者    作者：于乐泳

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	High zero-bias responsivity induced by photogating effect in asymmetric device structure 期刊论文 OPTICAL MATERIALS, 2022, 卷号: 124, 页码: 7 作者:  Gao, Kaicong;  Ran, Shuling;  Han, Qin;  Yang, Qi;  Jiang, Hao;  Fu, Jintao;  Leng, Chongqian;  Feng, Shuanglong;  Zhou, Dahua;  Li, Zhancheng;  Li, Xin;  Huang, Deping;  Yu, Leyong;  Shen, Jun 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2022/08/22 Graphene photodetector  CdS thin films  Asymmetric structure
	直接转移石墨烯薄膜的装置和方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: 2015107941195, 申请日期: 2015-11-18, 发明人:  于乐泳;  聂长斌;  冯双龙;  魏兴战;  史浩飞;  周大华;  申钧 Adobe PDF(1077Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2018/03/16