×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院重庆绿色智能技术研究院机构知识库
KMS Chongqing Institute of Green and Intelligent Technology, CAS
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
学科领域
关键词
文献类型
出处
存缴日期
收录类别
出版者
资助项目
学科门类
学习讨论厅
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
作者
段泰男 [2]
xiao zeyu... [1]
刘江 [1]
文献类型
期刊论文 [3]
发表日期
2024 [3]
语种
英语 [3]
出处
ANGEWANDTE... [1]
APPLIED SU... [1]
MATERIALS ... [1]
资助项目
NSFC[21935... [2]
NSFC[22361... [2]
NSFC[51873... [2]
NSFC[52025... [2]
NSFC[52303... [2]
Natural Sc... [2]
更多...
收录类别
SCI [3]
资助机构
×
知识图谱
CSpace
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:2024
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
题名升序
题名降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Fully Fused Indacenodithiophene-Centered Small-Molecule n-Type Semiconductors for High-Performance Organic Electronics
期刊论文
ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION, 2024, 页码: 9
作者:
Duan, Tainan
;
Wang, Jia
;
Shi, Wenrui
;
Li, Yulu
;
Tu, Kaihuai
;
Bi, Xingqi
;
Zhong, Cheng
;
Lv, Jie
;
Yang, Ke
;
Xiao, Zeyun
;
Kan, Bin
;
Zhao, Yan
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2024/09/23
Fully Fused Structure
n-Type Organic Semiconductors
Single-Crystal Analysis
Organic Field-Effect Transistors
Organic Solar Cells
The anti-correlation effect of alkyl chain size on the photovoltaic performance of centrally extended non-fullerene acceptors
期刊论文
MATERIALS HORIZONS, 2024, 页码: 11
作者:
Duan, Tainan
;
Wang, Jia
;
Zuo, Xiaochan
;
Bi, Xingqi
;
Zhong, Cheng
;
Li, Yulu
;
Long, Yuhong
;
Tu, Kaihuai
;
Zhang, Weichao
;
Yang, Ke
;
Zhou, Huiqiong
;
Wan, Xiangjian
;
Zhao, Yan
;
Kan, Bin
;
Chen, Yongsheng
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2024/08/16
Optimized photoelectric performance of MoS2/graphene heterostructure device induced by swift heavy ion irradiation
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2024, 卷号: 642, 页码: 10
作者:
Zeng, J.
;
Nie, C. B.
;
Zhang, H. D.
;
Hu, P. P.
;
Maaz, K.
;
Xu, L. J.
;
Zhai, P. F.
;
Yang, X. R.
;
Zhang, S. X.
;
Liu, J.
收藏
  |  
浏览/下载:52/0
  |  
提交时间:2023/12/25
MoS2/G FET
Swift heavy ions
Photoelectric response
Optimized performance
Irradiation tolerance