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Resistive switching device based on high-mobility graphene and its switching mechanism 期刊论文
Journal of Physics: Conference Series, 2019, 卷号: 1168, 期号: 2
作者:  Zhang,Enliang;  Zhou,Quan;  Shen,Jun
Adobe PDF(1072Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：131/0  |  提交时间：2019/04/18
The interface modification for GNWs/Si Schottky junction with PEI/PEIE interlayers 期刊论文
Materials Research Express, 2018, 卷号: 5, 期号: 3
作者:  Zhou,Quan;  Liu,Xiangzhi;  Luo,Wei;  Shen,Jun;  Wang,Yuefeng;  Wei,Dapeng
收藏  |  浏览/下载：128/0  |  提交时间：2018/04/24
Graphene Nanowalls  Schottky Junction  Interface Doping  Passivation