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限定条件	发表日期：2020    作者：冯双龙    第一作者    作者：周大华

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	一种包含石墨烯夹层结构的光电探测器 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: 2019105044530, 申请日期: 2019-06-12, 发明人:  申钧;  吴启明;  魏兴战;  冯双龙;  周大华;  汤林龙;  冷重钱;  聂长斌;  张之胜;  伍俊;  史浩飞 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：419/0  |  提交时间：2020/12/01
	Effect of Air Atmosphere Sensitization on Formation of PbSe p-n Junctions for High-Performance Photodetectors 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 页码: 7 作者:  Yan, Shunya;  Yang, Qi;  Feng, Shuanglong;  Shen, Jun;  Yang, Jun;  Tang, Linlong;  Leng, Chongqian;  Zhou, Dahua 收藏  |  浏览/下载：128/0  |  提交时间：2020/08/24 PbSe  infrared detector  sensitized mechanism  p-n junction
	Direct growth of vertical structure MoS2 nanosheets array film via CVD method for photodetection 期刊论文 PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2020, 卷号: 117, 页码: 6 作者:  Liu, Shuang;  Nie, Changbin;  Zhou, Dahua;  Shen, Jun;  Feng, Shuanglong 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2020/08/24 Vertical MoS2  Nanosheets  Photodetector  Chemical vapor deposition