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限定条件	收录类别：SCI    作者：周大华    第一作者

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	High zero-bias responsivity induced by photogating effect in asymmetric device structure 期刊论文 OPTICAL MATERIALS, 2022, 卷号: 124, 页码: 7 作者:  Gao, Kaicong;  Ran, Shuling;  Han, Qin;  Yang, Qi;  Jiang, Hao;  Fu, Jintao;  Leng, Chongqian;  Feng, Shuanglong;  Zhou, Dahua;  Li, Zhancheng;  Li, Xin;  Huang, Deping;  Yu, Leyong;  Shen, Jun 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2022/08/22 Graphene photodetector  CdS thin films  Asymmetric structure
	Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038 作者:  Zhao, Hongquan;  Yang, Yuhui;  Wang, Chunxiang;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan;  Li, Yuzhi;  Mao, Yuliang 收藏  |  浏览/下载：107/0  |  提交时间：2020/08/24 few-layer GeSe  field-effect transistors  photoresponse time  broadband photoresponse  direct band gaps  ambipolar behavior
	Light Trapping in Conformal Graphene/Silicon Nanoholes for High-Performance Photodetectors 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 33, 页码: 30421-30429 作者:  Yang, Jun;  Tang, Linlong;  Luo, Wei;  Shen, Jun;  Zhou, Dahua;  Feng, Shuanglong;  Wei, Xingzhan;  Shi, Haofei 收藏  |  浏览/下载：203/0  |  提交时间：2019/12/03 graphene  photodetector  light trapping silicon nanostructures  conformal
	Towards high-performance transistors and photodetectors with monolayer graphene through modified transfer and lithography process 期刊论文 MATERIALS EXPRESS, 2017, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 230-236 作者:  Ge, Bangtong;  Zhou, Dahua;  Zhang, Weiguo;  Feng, Shuanglong;  Sun, Lidong;  Shen, Jun 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2018/03/05 Graphene  Photodetector  Polymer Residue  Photoresponsivity  Mobility