中国科学院重庆绿色智能技术研究院机构知识库

本发明提供了一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法，属于电子生产技术和柔性器件制备领域，该方法步骤包括：(1)制作掩模板图形；(2)固定掩模板和生长基底：(3)低温生长三维石墨烯；通过该方法可制备任意形状的三维石墨烯。该方法步骤简单、高效、成本低、环保，且无需进行加热处理，适用于图形化三维石墨烯的产业化生产，同时也可应用于其他二维三维材料的图形化处理。