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	一种制备三维ZnO纳米线网的方法
	王亮; 陆文强; 宋金会; 冯双龙; 王凤丽; 李振湖
	2016-01-20
摘要	本发明公开了一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl4与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括ZnO粉和石墨粉，其气流下游位置放置衬底，抽真空，把真空管加热到800-1200℃，然后通入氧气和工作气体，控制压强到30-400毫巴，生长时间大于20min，然后让真空管式炉自然降温，在GaN衬底上即可制备出三维ZnO纳米线网络。本发明方法简单，利用聚合物诱导三维纳米线网络生长。制备的纳米线取向有垂直衬底和平行衬底两类，构成有序三维纳米线网络结构，具有极大的应用价值。
专利类型	发明专利
语种	中文