KMS Chongqing Institute of Green and Intelligent Technology, CAS
| 电化学沉积制备Bi_2Se_3薄膜及其光电性能研究 | |
华奕涵; 冯双龙
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| 2023 | |
| 摘要 | 作为量子物质的奇异态,拓扑绝缘体在新一代电子和光电子器件领域得到了广泛应用。因其金属表面态共存和较窄的带隙(0.3eV),导致Bi_2Se_3具有超快电荷传输能力和红外光吸收能力,使其成为新体制光电器件的研究热点。采用恒电位沉积法在酸性电解质溶液中ITO基底上进行电化学沉积Bi_2Se_3薄膜,通过控制变量法确定Bi_2Se_3薄膜的生长条件是溶液pH值为0.2~0.8、沉积电位-0.15Vvs.Ag/AgCl和沉积时间1h;同时,采用场发射透射电子显微镜、X射线衍射仪等表征技术对Bi_2Se_3薄膜的结构与形貌进行了研究。最后,研究了基于Bi_2Se_3薄膜光电探测器的性能,并考察了退火工艺对其光响应特性影响规律,测试结果表明退火后Bi_2Se_3薄膜在近红外波段具有良好的光电性能,响应度和比探测率分别约为6.3×10~(-5) A/W和2.9×10~6 cm·Hz0.5/W。 |
| 关键词 | topological insulator Bi_2Se_3 electrochemistry heat treatment photoresponse performance 拓扑绝缘体 Bi_2Se_3 电化学 热处理 光响应性能 |
| 发表期刊 | 功能材料
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| ISSN | 1001-9731 |
| 卷号 | 54期号:1 |
| 语种 | 中文 |
